Transistor bipolaire BDT29CF

Caractéristiques électriques du transistor BDT29CF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29C transistor

Brochage du BDT29CF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT29CF

Le transistor PNP complémentaire du BDT29CF est le BDT30CF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT29CF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT29CF par 2N6473, 2N6474, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD711, BD911, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, NTE291, TIP29C, TIP29CG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com