Transistor bipolaire 2SD1669-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1669-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1669-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1669-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SD1669 est compris entre 70 à 280, celui du 2SD1669-R entre 100 à 200, celui du 2SD1669-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1669-Q peut n'être marqué que D1669-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1669-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1669-Q est le 2SB1136-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1669-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1669-Q par 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3709A, 2SC3709A-O, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SD1062, 2SD1062-Q, BD545A, BD545B, BD545C, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 ou BDT85F.
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