Transistor bipolaire 2SD1269-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1269-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 130 à 260
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1269-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1269-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1269 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1269-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1269-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1269-P peut n'être marqué que D1269-P.

Complémentaire du transistor 2SD1269-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1269-P est le 2SB944-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1269-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1269-P par 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SD1270, 2SD1270-P, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866-P, 2SD866A, 2SD866A-P, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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