Transistor bipolaire 2SB966-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB966-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB966 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB966-P entre 160 à 320, celui du 2SB966-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB966-Q peut n'être marqué que B966-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB966-Q est le 2SD1289-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB966-Q par 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SA1788, 2SA1788-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A ou MJW1302AG.