Transistor bipolaire KTB817B-Y

Caractéristiques électriques du transistor KTB817B-Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817-E transistor

Brochage du KTB817B-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB817B-Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTB817B est compris entre 60 à 200, celui du KTB817B-O entre 60 à 120.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB817B-Y

Vous pouvez remplacer le transistor KTB817B-Y par 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, KTB817, KTB817-Y, MJW1302A ou MJW1302AG.
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