Transistor bipolaire 2SB817C

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 120 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB817C peut n'être marqué que B817C.Le transistor NPN complémentaire du 2SB817C est le 2SD1047C.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB817C par 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A ou MJW1302AG.