Transistor bipolaire 2SD1289-Q

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 60 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1289-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1289 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1289-P entre 160 à 320, celui du 2SD1289-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1289-Q peut n'être marqué que D1289-Q.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1289-Q est le 2SB966-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1289-Q par 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4278-E, 2SC4652, 2SC4652-E, 2SD1046, 2SD1046-E, 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1047C, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, 2SD2052, 2SD2052-P, 2SD2053, 2SD2053-P, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJW3281A ou MJW3281AG.