Caractéristiques électriques du transistor 2SB751A-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 1000 à 2500
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB751A-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB751A-R peut avoir un gain en courant continu de 1000 à 2500. Le gain en courant continu du 2SB751A est compris entre 1000 à 10000, celui du 2SB751A-P entre 4000 à 10000, celui du 2SB751A-Q entre 2000 à 5000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB751A-R peut n'être marqué que B751A-R.
Complémentaire du transistor 2SB751A-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB751A-R est le 2SD837A-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB751A-R