Transistor bipolaire 2SB1144-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1144-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1144-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1144-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1144 est compris entre 100 à 400, celui du 2SB1144-S entre 140 à 280, celui du 2SB1144-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1144-Q peut n'être marqué que B1144-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1144-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1144-Q est le 2SD1684-Q.

Version SMD du transistor 2SB1144-Q

Le 2SA1201 (SOT-89) et KTA1661 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1144-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1144-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1144-Q par 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, BD792, KTA1700 ou MJE254.
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