Transistor bipolaire 2SB649

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -180 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB649 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SB649-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB649-C entre 100 à 200, celui du 2SB649-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB649 peut n'être marqué que B649.Le transistor NPN complémentaire du 2SB649 est le 2SD669.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB649 par 2SA1021.