Transistor bipolaire 2SB649-C

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -180 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB649-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB649 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB649-B entre 60 à 120, celui du 2SB649-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB649-C peut n'être marqué que B649-C.Le transistor NPN complémentaire du 2SB649-C est le 2SD669-C.Le PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89) et PBHV9115Z (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB649-C.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB649-C par 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SB649A, 2SB649A-C ou KTA1700.