Transistor bipolaire 2SB649A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -180 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB649A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB649A-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB649A-C entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB649A peut n'être marqué que B649A.Le transistor NPN complémentaire du 2SB649A est le 2SD669A.