Transistor bipolaire 2SB649A-C

Caractéristiques électriques du transistor 2SB649A-C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -180 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB649A-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB649A-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB649A est compris entre 60 à 200, celui du 2SB649A-B entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB649A-C peut n'être marqué que B649A-C.

Complémentaire du transistor 2SB649A-C

Le transistor NPN complémentaire du 2SB649A-C est le 2SD669A-C.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB649A-C

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB649A-C par 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1507, 2SA1507-R ou KTA1700.
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