Transistor bipolaire 2SB1141-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1141-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 140 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1141-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1141-S peut avoir un gain en courant continu de 140 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1141 est compris entre 70 à 400, celui du 2SB1141-Q entre 70 à 140, celui du 2SB1141-R entre 100 à 200, celui du 2SB1141-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1141-S peut n'être marqué que B1141-S.

Complémentaire du transistor 2SB1141-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1141-S est le 2SD1681-S.

Version SMD du transistor 2SB1141-S

Le BCX69 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1141-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1141-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1141-S par 2SA1120, 2SA1357, 2SA715, 2SA738, 2SB1009, 2SB1127, 2SB1127-S, 2SB1140, 2SB1140-S, 2SB559, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSH772, KTB772 ou MJE370.
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