Transistor bipolaire KTB772

Caractéristiques électriques du transistor KTB772

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772 transistor

Brochage du KTB772

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB772 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 400. Le gain en courant continu du KTB772-GR est compris entre 200 à 400, celui du KTB772-O entre 100 à 200, celui du KTB772-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KTB772

Le transistor NPN complémentaire du KTB772 est le KTD882.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB772

Vous pouvez remplacer le transistor KTB772 par 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB772, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 ou MJE370.
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