Transistor bipolaire 2SB559

Caractéristiques électriques du transistor 2SB559

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 8 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB559

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB559 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SB559-D est compris entre 60 à 120, celui du 2SB559-E entre 100 à 200, celui du 2SB559-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB559 peut n'être marqué que B559.

Complémentaire du transistor 2SB559

Le transistor NPN complémentaire du 2SB559 est le 2SD439.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB559

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB559 par 2SA715, 2SA738, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSH772 ou MJE370.
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