Transistor bipolaire 2SA1006B-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
• Tension collecteur-base maximum: -250 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 80 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SA1006B-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SA1006B est compris entre 60 à 320, celui du 2SA1006B-Q entre 100 à 200, celui du 2SA1006B-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1006B-P peut n'être marqué que A1006B-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SA1006B-P est le 2SC2336B-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1006B-P par MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.