Transistor bipolaire 2N6387

Caractéristiques électriques du transistor 2N6387

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6387

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

2N6387 equivalent circuit

Complémentaire du transistor 2N6387

Le transistor PNP complémentaire du 2N6387 est le 2N6667.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6387

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6387 par 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, BD545A, BD545B, BD545C, BD807, BD809, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, D44H8, TIP140T, TIP141T ou TIP142T.

Version sans plomb

Le transistor 2N6387G est la version sans plomb du 2N6387.
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