Transistor bipolar 2SD1669-Q

Características del transistor 2SD1669-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1669-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1669-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SD1669 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SD1669-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1669-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1669-Q puede estar marcado sólo como "D1669-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1669-Q es el 2SB1136-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1669-Q

Puede sustituir el 2SD1669-Q por el 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3709A, 2SC3709A-O, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SD1062, 2SD1062-Q, BD545A, BD545B, BD545C, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 o BDT85F.
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