Transistor bipolar 2SD1669-S

Características del transistor 2SD1669-S

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 140 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1669-S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1669-S puede tener una ganancia de corriente de 140 a 280. La ganancia del 2SD1669 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SD1669-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1669-R estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1669-S puede estar marcado sólo como "D1669-S".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1669-S es el 2SB1136-S.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1669-S

Puede sustituir el 2SD1669-S por el 2SC4552, 2SD1062, 2SD1062-S, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 o BDT85F.
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