Transistor bipolar 2SB1136-Q

Características del transistor 2SB1136-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1136-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1136-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SB1136 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SB1136-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1136-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1136-Q puede estar marcado sólo como "B1136-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1136-Q es el 2SD1669-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1136-Q

Puede sustituir el 2SB1136-Q por el 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1451, 2SA1451-O, 2SA1451A, 2SA1451A-O, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB826, 2SB826-Q, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 o BDT86F.
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