Transistor bipolar 2SB1142-R

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 10 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1142-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1142 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1142-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1142-T estará en el rango de 200 a 400.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1142-R puede estar marcado sólo como "B1142-R".El transistor NPN complementario del 2SB1142-R es el 2SD1682-R.El 2SB1123 (SOT-89) y 2SB1123-R (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1142-R.Puede sustituir el 2SB1142-R por el 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB986, 2SB986-R, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 o MJE254.