Transistor bipolar 2SB1142-T

Características del transistor 2SB1142-T

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1142-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1142-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1142 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1142-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1142-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1142-T puede estar marcado sólo como "B1142-T".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1142-T es el 2SD1682-T.

Versión SMD del transistor 2SB1142-T

El 2SB1123 (SOT-89) y 2SB1123-T (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1142-T.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1142-T

Puede sustituir el 2SB1142-T por el 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB1167, 2SB1167-T, 2SB1168, 2SB1168-T, 2SB986, 2SB986-T, BD190, MJE235, MJE252 o MJE254.
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