Transistor bipolar 2SB1143-R

Características del transistor 2SB1143-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1143-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1143-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1143 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SB1143-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1143-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1143-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1143-R puede estar marcado sólo como "B1143-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1143-R es el 2SD1683-R.

Versión SMD del transistor 2SB1143-R

El 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-R (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-R (SOT-89) y BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1143-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1143-R

Puede sustituir el 2SB1143-R por el 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB986, 2SB986-R, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 o MJE254.
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