Transistor bipolar 2SB1165
Características del transistor 2SB1165
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 400
- Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB1165
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1165
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