Transistor bipolar 2SB1115A

Características del transistor 2SB1115A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1115A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1115A puede tener una ganancia de corriente de 135 a 400. La ganancia del 2SB1115A-YP estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1115A-YQ estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1115A puede estar marcado sólo como "B1115A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1115A es el 2SD1615A.
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