Transistor bipolar 2SD1622-T

Características del transistor 2SD1622-T

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SD1622-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1622-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SD1622 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SD1622-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1622-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SD1622-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

El transistor 2SD1622-T está marcado como "DET".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1622-T es el 2SB1122-T.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1622-T

Puede sustituir el 2SD1622-T por el 2SD1615, 2SD1615-GL, 2SD1615A, 2SD1615A-GP, 2SD1623, 2SD1623-T, 2SD1624, 2SD1624-T, 2STF1360 o 2STF1550.
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