Transistor bipolar 2SB1122-R

Características del transistor 2SB1122-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1122-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1122-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1122 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SB1122-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1122-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1122-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

El transistor 2SB1122-R está marcado como "BER".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1122-R es el 2SD1622-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1122-R

Puede sustituir el 2SB1122-R por el 2DA1213, 2SA1213, 2SA1364, 2SB1123, 2SB1123-R, 2SB1124, 2SB1124-R, 2SB766A, BCX52, BCX52-16, BCX53, BCX53-16, BSR31, BSR33, KTA1668 o KTA1668Y.
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