Transistor bipolar 2N6130

Características del transistor 2N6130

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2N6130

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N6130 es el 2N6133.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6130

Puede sustituir el 2N6130 por el 2N5496, 2N6131, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 o MJF3055G.
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