Bipolartransistor ZTX555

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
• Gehäuse: TO-92

Der ZTX555 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der FMMT555 (SOT-23) ist die SMD-Version des ZTX555-Transistors.