Bipolartransistor MPSW13

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW13

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPSW13

Der MPSW13 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPSW13 ist der MPSW63.

SMD-Version des Transistors MPSW13

Der MMBTA14 (SOT-23), PMBTA14 (SOT-23) und PZTA14 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSW13-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW13

Sie können den Transistor MPSW13 durch einen MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG oder MPSW45G ersetzen.
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