Bipolartransistor MPSW45G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW45G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 12 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25000 bis 150000
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPSW45G ist die bleifreie Version des MPSW45-Transistors
Pinbelegung des MPSW45G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
SMD-Version des Transistors MPSW45G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW45G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com