Bipolartransistor MPSW45G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW45G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 12 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25000 bis 150000
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Der MPSW45G ist die bleifreie Version des MPSW45-Transistors

Pinbelegung des MPSW45G

Der MPSW45G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors MPSW45G

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23) und BSP50 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSW45G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW45G

Sie können den Transistor MPSW45G durch einen MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, ZTX690B oder ZTX692B ersetzen.
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