Bipolartransistor MPS6512

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS6512

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS6512

Der MPS6512 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS6512 ist der MPS6516.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS6512

Sie können den Transistor MPS6512 durch einen 2N3903, 2N4123, 2N4400, 2SC1008, 2SC815, BC537, BC537-6, KSC1008, KSC815, KSC945, KSP05, MPS3705, MPS4123, MPS6530, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, PN2218, PN2218A, PN2221, PN2221A, PN3567, PN3568 oder ZTX451 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com