Bipolartransistor MPS6530

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS6530

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS6530

Der MPS6530 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS6530 ist der MPS6533.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS6530

Sie können den Transistor MPS6530 durch einen 2SC1008, BC537, BC538, KSC1008, PN2218A, PN2221A oder ZTX452 ersetzen.
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