Bipolartransistor KSC815

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC815

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC815 transistor

Pinbelegung des KSC815

Der KSC815 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC815C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC815.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC815 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC815G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC815O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC815R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC815Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC815 ist der KSA539.

Transistor KSC815 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC815 ist die TO-92-Version des KSC815.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC815

Sie können den Transistor KSC815 durch einen 2SC1008, 2SC815, BC537, BC538 oder KSC1008 ersetzen.
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