Bipolartransistor MPS4123

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS4123

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 6 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS4123

Der MPS4123 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Transistor MPS4123 im TO-92-Gehäuse

Der 2N4123 ist die TO-92-Version des MPS4123.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS4123

Sie können den Transistor MPS4123 durch einen 2N3903, 2N4123, 2N4400, 2SC1008, 2SC815, BC537, KSC1008, KSC815, KSP05, MPS3705, MPS6532, MPS6602, MPS6602G oder ZTX451 ersetzen.
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