Bipolartransistor 2SD1725-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1725-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1725-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1725-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1725 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SD1725-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1725-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1725-R im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1725-S-Transistor könnte nur mit "D1725-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1725-S ist der 2SB1168-S.

SMD-Version des Transistors 2SD1725-S

Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1725-S-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1725-S

Sie können den Transistor 2SD1725-S durch einen MJE244 ersetzen.
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