Bipolartransistor MJE18004G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE18004G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 75 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
- Übergangsfrequenz, min: 13 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der MJE18004G ist die bleifreie Version des MJE18004-Transistors
Pinbelegung des MJE18004G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE18004G
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