Bipolartransistor MJE18006G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE18006G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE18006G ist die bleifreie Version des MJE18006-Transistors

Pinbelegung des MJE18006G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE18006G

Sie können den Transistor MJE18006G durch einen 2SC3056A, MJE18006, MJE18008, MJE18008G, MJF18006, MJF18006G, MJF18008 oder MJF18008G ersetzen.
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