Bipolartransistor MJF18006G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF18006G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
- Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular MJE18006G transistor
- Der MJF18006G ist die bleifreie Version des MJF18006-Transistors
Pinbelegung des MJF18006G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF18006G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com