Bipolartransistor MJF18006G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF18006G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE18006G transistor
  • Der MJF18006G ist die bleifreie Version des MJF18006-Transistors

Pinbelegung des MJF18006G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF18006G

Sie können den Transistor MJF18006G durch einen 2SC3056A, MJE18006, MJE18006G, MJE18008, MJE18008G, MJF18006, MJF18008 oder MJF18008G ersetzen.
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