Bipolartransistor MMBT4400
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT4400
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des MMBT4400
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT4400
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