Bipolartransistor KTB778-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB778-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB778-R transistor

Pinbelegung des KTB778-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB778-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB778 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des KTB778-O im Bereich von 80 bis 160.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB778-R ist der KTD998-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB778-R

Sie können den Transistor KTB778-R durch einen 2SA1106, 2SA1146, 2SA1146-R, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1265-R, 2SA1294, 2SA1301, 2SA1301R, 2SA1302, 2SA1302R, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1516-R, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1942R, 2SA1943, 2SA1943R, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2120-R, 2SA2121, 2SA2121-R, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SB1429, 2SB1429-R, 2SB778, 2SB778-R, 2SB863, 2SB863-R, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1943AR, KTA1943R, KTA1962, KTA1962A, KTA1962AR, KTA1962R, KTB688, KTB688-R, KTB688B, KTB688B-R, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.
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