Bipolartransistor KTB1151-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1151-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151-K transistor

Pinbelegung des KTB1151-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB1151-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1151 liegt im Bereich von 160 bis 400, die des KTB1151-O im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1151-Y ist der KTD1691-Y.

SMD-Version des Transistors KTB1151-Y

Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1151-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1151-Y

Sie können den Transistor KTB1151-Y durch einen 2SB1151, 2SB1151-K, KSB1151 oder KSB1151-G ersetzen.
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