Bipolartransistor KSB1151-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151-K transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1151-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1151 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KSB1151-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSB1151-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1151-G ist der KSD1691-G.Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1151-G-Transistors.Sie können den Transistor KSB1151-G durch einen 2SB1151, 2SB1151-K, KTB1151 oder KTB1151-Y ersetzen.