Bipolartransistor FJX1182-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX1182-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 2.8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1182-O transistor

Pinbelegung des FJX1182-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX1182-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX1182 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des FJX1182-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX1182-O-Transistor ist als "SDO" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX1182-O

Sie können den Transistor FJX1182-O durch einen 2SA1588 oder 2SA1588-O ersetzen.
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