Bipolartransistor BDX63A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX63A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX63A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX63A ist der BDX62A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX63A

Sie können den Transistor BDX63A durch einen 2N6385, BDX63B, BDX63C, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1001, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3001, MJ4034, MJ4035, TIP601, TIP602, TIP641 oder TIP642 ersetzen.
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