Bipolartransistor BDX65C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX65C

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
Verlustleistung, max: 117 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX65C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX65C ist der BDX64C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX65C

Sie können den Transistor BDX65C durch einen BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.

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