Bipolartransistor BDX63C

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 90 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX63C ist der BDX62C.Sie können den Transistor BDX63C durch einen BDX65C, BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.