Bipolartransistor BDX65A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX65A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 117 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX65A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX65A ist der BDX64A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX65A

Sie können den Transistor BDX65A durch einen BDX65B, BDX65C, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ4034 oder MJ4035 ersetzen.
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