Bipolartransistor BDX63B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 90 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX63B ist der BDX62B.Sie können den Transistor BDX63B durch einen BDX63C, BDX65B, BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035, TIP602 oder TIP642 ersetzen.